拓荆科技拟25亿元收购无锡尚积：年内半导体设备领域最大并购方案，不仅做大更要做强

近日，拓荆科技（688072）发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金的申请获上交所受理。

拓荆科技拟通过发行股份及支付现金的方式购买无锡尚积82.97%股份、上海泰纳微100%股权和无锡宽行100%股权，其中，上海泰纳微持有无锡尚积11.54%股份，无锡宽行持有无锡尚积5.49%股份。

本次交易后，拓荆科技将直接及间接持有无锡尚积100%股份，交易价格为25亿元，其中现金对价6.72亿元，股份对价18.28亿元。资料显示，拓荆科技收购无锡尚积为半导体设备领域的一次重要的产业整合，也是年内我国半导体领域内最大并购方案。

剖析拓荆科技此次收购，不仅可快速补充核心产品线实现做大，更有利于在双方协同优势下，把握半导体行业发展重要趋势，增强三维集成平台能力，强化整体方案竞争力，提升单客户价值量，实现做强。

收购做大，快速补充核心产品线

薄膜沉积设备，是在晶圆表面沉积超薄功能膜层的核心装备，薄膜沉积是晶圆制造前道工序中的关键一环，和光刻、刻蚀交替进行，逐层构筑芯片立体结构。

按成膜原理划分，薄膜沉积设备主要可分为基于化学反应原理的CVD设备和ALD设备、基于物理沉积原理的PVD设备。根据SEMI数据，CVD设备市场份额最高，其中PECVD市场份额33%，另外，溅射PVD市场份额占19%，ALD占11%。

拓荆科技深耕薄膜沉积设备行业多年，已形成PECVD、ALD和Gap-Fill CVD等多个核心品类的成熟产品线，但主营业务产品不涉及PVD品类。

而PVD设备正是标的公司无锡尚积的优势领域。资料显示，无锡尚积是少数具备PVD设备自主研发能力及规模化量产经验的国产设备企业，自主掌握氧化钒薄膜沉积、FSM&BSM薄膜沉积、化合物衬底金属功能薄膜沉积、TSV/TGV薄膜沉积、碳基芯片金属薄膜沉积、金属互联薄膜沉积等关键技术。2026年上半年，无锡尚积PVD设备收入达到1.44亿元，处于批量出货阶段。

通过此次收购，拓荆科技可快速补充核心产品线，完善对主流薄膜沉积工艺的覆盖，更好满足客户一站式采购、联合工艺开发的核心诉求。

此次收购还将增厚拓荆科技营收体量。标的公司无锡尚积2025年营收为3.03亿元，2026年上半年营收为1.77亿元、同比提升160%，增长势头可观。同时，此次收购中业绩承诺方承诺无锡尚积2026年度、2027年度和2028年度营收分别不低于3.5亿元、4.5亿元、6.1亿元。

收购做强，强化高端领域竞争壁垒

拓荆科技收购无锡尚积的价值不仅在于做大规模，更在于发挥协同效应，强化在高端半导体设备领域的竞争壁垒。

一方面，在三维集成领域，上市公司拓荆科技成功研发并推出了应用于三维集成领域的先进键合设备及配套量检测设备。标的公司无锡尚积的PVD设备和刻蚀设备可应用于三维集成领域的RDL、TSV、TGV等核心工艺环节。此次收购完成后，拓荆科技形成覆盖薄膜沉积、刻蚀、键合、量检测的成套三维集成设备产品线，满足客户一站式采购与联合工艺开发需求，强化整体方案竞争力，提升客户粘性与单客户价值量。

随着后摩尔时代的来临，芯片制程持续接近物理极限，仅依赖平面工艺微缩已无法实现芯片性能的持续提升迭代，技术路径逐步转向三维架构设计及芯片堆叠方式，三维集成技术是实现芯片高密度互连、三维堆叠及系统级集成的关键工艺，已成为推动半导体行业发展的重要趋势。据Yole统计，全球先进封装市场中2.5D封装和3D封装市场规模预计从2023年的43亿美元快速增至2029年的280亿美元，年复合增长率达37%，极具发展潜力。

另一方面，此次收购同时还将募集配套资金18.2亿元，其中11.09亿元将用于无锡尚积高端半导体设备生产基地项目、高端半导体设备前沿技术研发项目建设，扩充高端设备产能，保障市场交付能力，并顺应先进存储、先进逻辑和先进封装迭代趋势，抢抓行业升级机遇，重点攻克纳米级形貌精准控制、低损伤刻蚀、高深宽比结构台阶覆盖等核心工艺难题，形成适配先进制程的成套薄膜、刻蚀工艺技术方案，有效适配先进芯片制造的高端工艺需求。

除此之外，拓荆科技与无锡尚积还有望在研发、销售、供应链等方面协同发展，实现1+1>2。例如在销售端，拓荆科技可依托现有高端客户渠道与市场品牌优势，推动无锡尚积PVD、刻蚀产品加速导入先进逻辑、存储芯片等核心应用场景，拓宽单客户销售覆盖范围，提升整体市场份额。

全球AI算力需求爆发，带动半导体产业进入新一轮扩张周期，拓荆科技通过收购无锡尚积实现强强联合，抓住国产替代与先进封装升级机遇。