据多家权威媒体报道，在与国际巨头英飞凌的专利大战中，我国第三代半导体企业英诺赛科（02577.HK）小胜一局，获得管辖权胜诉。法院终审裁定，驳回英飞凌中国公司及无锡公司提出的管辖权异议上诉，确认苏州市中级人民法院对案件的管辖权。

据了解，此次裁定是源于今年一月份，英诺赛科向英飞凌发起的一起专利诉讼。

2025年1月16日，英诺赛科发布公告称，公司及其全资附属公司英诺赛科（苏州）半导体有限公司（英诺苏州）向中国江苏省苏州市中级人民法院提起诉讼，指控英飞凌科技（中国）有限公司（被告一）、英飞凌科技（无锡）有限公司（被告二）及苏州芯沃科电子科技有限公司（被告三）侵犯其两项专利，两项专利的专利号分别为：202311774650.7、202211387983.X。

英诺赛科表示，涉案专利分别涉及一种氮化镓(GaN)功率器件及其制备方法，以及一种氮化物基半导体器件及其制造方法。根据起诉状，被告二是被告一的全资控股子公司，并为英飞凌中文网站的备案主体。该网站向中国的潜在客户展示、宣传及许诺销售多种型号的氮化镓(GaN)半导体器件（「涉案侵权产品」）；被告一是涉案侵权产品的进口商和总经销商；根据英飞凌中文网站，被告三是被告一、被告二于中国的增值分销商。

经技术比对，英诺赛科认为涉案侵权产品落入涉案专利的保护范围，三被告未经原告允许实施了许诺销售、销售、进口涉案侵权产品的行为，构成对涉案专利的侵害，依法应当承担相应的法律责任，包括停止侵权行为及承担赔偿责任。

实际上，英诺赛科此次起诉英飞凌，是对英飞凌的一次反诉，英飞凌早就在美国、德国等地，对英诺赛科提起了诉讼。

据英飞凌官网信息，早在2024年3月14日，英飞凌已在美国加利福尼亚北区地方法院对英诺赛科提起了专利侵权诉讼，并于2024年6月4日向德国慕尼黑地方法院提起相应诉讼，同时对英诺赛科德国分销商提起了其他诉讼。

2024年7月23日，英飞凌在美国加利福尼亚北区地方法院，对英诺赛科（珠海）科技有限公司、英诺赛科美国公司及其关联公司（以下简称：英诺赛科）在现有诉讼基础上，追加了新的诉讼请求，指控其侵犯了英飞凌拥有的另外三项与氮化镓（GaN）技术相关的专利。

此外，英飞凌还在2024年7月26日，向美国国际贸易委员会（USITC）起诉，就前述诉讼所涉的四项相同专利提出法律索赔。

英诺赛科简介：

英诺赛科官网显示，公司是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全产业链模式，建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。

截至2025年5月9日收盘，英诺赛科市值为331亿港币，约合人民币307亿元。