新能源市场爆发，东微半导如何乘风而上？

在国家“双碳”政策的持续推动下，新能源市场爆发。作为功率半导体应用的重要领域，新能源渗透率的快速提升也将拉动功率器件的高速增长。据英飞凌数据，纯电动车单车较燃油车新增400美元功率半导体用量，风光储设备的功率半导体单位含量为2000-5000欧元/兆瓦。

功率半导体中以MOSFET、IGBT器件为主。在新能源车电动化时代中，中高压MOSFET作为DC-DC、OBC等电源重要组成部分应用于新能源车中，单车用量达至200个以上。随着新能源汽车智能化时代的到来，高级驾驶辅助系统、安全、娱乐等功能均需要大量的功率MOSFET，未来中高端车型中MOSFET单车用量将增至400个。在太阳能、风能等新能源发电中，需运用功率半导体器件的转换才能入网传输，由于新能源发电大多工作在高压环境，以高压超级结MOSFET和IGBT为首的高功率器件迎来了重要的发展机遇。

于今年2月科创板上市的东微半导，是一家以高性能高端功率器件为主的功率半导体厂商，拥有国际化团队、具备国际竞争力、掌握国际核心技术。其主营的中高压MOSFET及IGBT芯片大量出货给光储、车载电子等新能源应用市场。

东微半导首席技术官王鹏飞博士毕业于德国慕尼黑工业大学，曾获国家高层次人才计划科技创新领军人才、上海市特聘专家、上海市高校特聘教授等荣誉称号。命名了知名的TFET（隧穿场效应晶体管）器件，并首次制造出互补隧穿晶体管（CTFET）。此外，王鹏飞博士还曾在Science杂志上发表高质量的研究论文，先后获授权发明专利70余项，其中美国专利授权30余项。

一、东微半导产品特点

东微半导的技术具备鲜明的特点。在IGBT器件上，东微半导拥有公司独创的TGBT器件结构，其第一代650V TGBT芯片已经达到国际主流的第七代IGBT技术水平，第二代TGBT也已经实现量产。东微半导IGBT产品以单管为主，应用在分布式光伏逆变器、充电桩模块中。此外，东微的IGBT还以裸片形式提供给模块厂商用于IGBT模块制造，开始逐渐切入IGBT模块领域。

东微半导MOSFET则以高压超级结为主，77%集中于工业、车规级应用。东微半导的高压超级结MOSFET在新能源车直流充电桩细分领域已占据20%-30%份额（按照定期报告数据粗略统计），并进入了车载OBC的应用领域。

功率半导体厂商2020-2021年营收增速及扣非净利润增速

数据来源：斯达半导、宏伟科技、新洁能、东微半导年度报告

拿A股的四家功率芯片上市公司的财务做比较，东微半导的增速表现也比较亮眼。据东微半导最新三季报显示，公司受益于下游新能源车、光储等持续高景气度，2022Q1-Q3实现营业收入7.90亿元，同比增长41.29%；归属于上市公司股东的净利润2.00亿元，同比增长115.62%。在三季度半导体领域业绩出现两极分化后，公司仍维持了高增长的态势。东微半导能够在本土众多功率半导体企业中脱颖而出，不仅得益于其终端应用聚焦新能源高景气赛道，能覆盖多领域头部玩家，也得益于公司较快的技术追赶速度，迅速对许多国产难度较大的芯片实现了国产替代。

二、东微半导如何乘风而上？

东微半导拥有高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、超级硅MOSFET以及具有独立知识产权的IGBT类产品TGBT；产品主要应用于新能源汽车直流充电桩、新能源汽车车载充电器、5G基站及通信电源、光伏逆变器等领域。

1、聚焦新能源汽车、光储等高景气赛道，覆盖多领域头部玩家

自“双碳”政策发布以来，我国新能源发展一直如火如荼。在新能源车领域，中汽协数据显示，2022年1-11月我国新能源汽车累计产销量为625.3万辆和606.7万辆，同比均增长1倍，继续保持快速增长态势。而伴随新能源汽车高速发展的同时，新能源汽车直流充电桩也迎来广大发展机遇，截至2021年末我国充电桩数量达261.7万个，车桩比为2.4：1，但仍远低于《电动汽车充电基础设施发展指南》规划的1：1的指标，预计2021-2024年中国新能源汽车充电桩行业市场规模CAGR将维持在29%。在公共直流充电桩中使用的功率器件以高压MOSFET为主。2016年，东微半导便率先量产国内首款自主研发充电桩用功率半导体器件GreenMOS高压超级结MOSFET，在其最新半年报中可以看到充电桩和车载充电机营收同比增长达60%和1350%，公司作为国内充电桩芯片的领头羊，未来将继续受益于新能源汽车渗透率提升、充电桩建设加快带来的业绩增长。

数据来源：中国充电联盟

在光储领域，数据显示2022年1-10月我国光伏新增装机同比增长98.7%，创下历史上按年新增装机量的最高记录，东微半导的高压超结MOS、IGBT产品广泛应用于光伏逆变及储能领域，据公司2022半年报显示，公司在光伏逆变器的营收同比增长近300%。据预计我国2025年光伏微逆变器的行业规模有望达到206亿元，2020-2025年CAGR达到24.8%，随着公司TGBT产能的逐渐释放，将加快公司在光储领域市占率的提升，成为公司的第二增长曲线。

同时，公司在这些高景气度领域也积累了众多头部客户，公司曾获得比亚迪全资子公司弗迪动力有限公司颁发的“2021年度优秀供应商”荣誉称号；在光伏逆变、储能应用领域，高压器件批量出货给Enphase、昱能科技、禾迈股份等客户，此外在工业电源、5G基站及通信电源等领域也拥有知名终端用户，如华为、维谛技术、通用电气等。包含中高压MOS、超级硅MOS及IGBT在内丰富的产品结构，使得公司能够覆盖上述领域的1200多家用户，下游高景气度和强大的客户群体提高了公司的品牌竞争力和知名度，为业绩的增长做出了保障。

2、技术迭代速度快，凸显创新能力，加深代工合作

公司专注于器件底层结构创新，拥有多项差异化设计及工艺专利。在下游需求稳步成长的超级结MOSFET领域，公司产品已迭代至第四代，第五代产品研发进展顺利，多款产品已追平国际领先水平。中低压屏蔽栅MOSFET领域已实现在工业、车规领域的规模化销售。在IGBT领域，公司自主研发的TGBT第一代产品实现大规模出货，多款第二代产品已进入批量生产阶段。在第三代化合物半导体领域，公司已经在专利技术形成布局，相关产品也已进入客户认证状态。

公司在8寸产品结构上进行优化，并加快在12寸线的技术转移，快速扩大12寸超级结MOSFET、屏蔽栅MOSFET及TGBT的产品规格与系列，2022年上半年，公司获得了华虹半导体“12英寸平台累计出货100万片卓越贡献客户”荣誉称号。可以看到，东微半导具有与上游供应商实现深度定制化开发的能力，实现双方技术能力的相互促进和共同提升，从而也保障了公司产能，扩大产能占有率并迅速转化为市场份额。

三、结语

公司处于高景气度的赛道。随着公司更多高性能功率半导体产品的成功开发，公司有望继续维持高速成长，持续扩大其在中高压MOS的市场份额。凭借公司突出的创新能力，有望在IGBT和第三代半导体市场中异军突起。