国基南方率先实现碳化硅产品批量应用,赢得电力电子器件发展先机
近年来,国基南方积极融入数字经济建设,发挥第三代半导体技术优势,瞄准重点数字产业,增强产业链关键环节竞争力,氮化镓技术产品保障新型装备、5G通信需求,2022年再次率先在碳化硅领域取得突破性进展,SiC MOSFET首次获得新能源汽车龙头企业大批量订单,为保障国产新能源汽车用功率器件供应链安全发挥了重要作用。在激烈的市场竞争中,赢得碳化硅领域发展先机。
国基南方在国内率先建立起第三代半导体碳化硅自主体系,形成了覆盖碳化硅材料、设计、制造、封测的完整技术布局,已经成为功率电子器件领域知名企业。碳化硅MOSFET在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域规模应用,数千万只配套量有力保障了产业自主可控。形成了一流创新平台,宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室高水平运行,作为依托单位建设的国家第三代半导体技术创新中心(南京)正快速推进实体化运行,2021年SiC MOSFET产品入选国资委十大国有企业数字技术成果。打造了一流人才团队,多次荣获国防科技进步奖等重大奖项。国基南方将面向广阔市场前景继续加快碳化硅领域进步。
率先进军布局
不断实现碳化硅技术创新突破
国基南方始终紧盯国际技术前沿,瞄准碳化硅器件的高击穿电压、高功率密度、高效率、高工作温度等特殊优势和应用前景,以打造碳化硅原创技术“策源地”为目标,在国内率先开展研究工作。坚持对标世界一流技术水平,紧密对接国家及上级战略规划,近年来得到了国家科技部、工信部以及中国电科等大力支持,“新能源汽车用SiC MOSFET 芯片和模块关键技术攻关及产业化项目”入围2022年江苏省工业和信息产业转型升级专项支持,研究成果获得多项省部级奖项,保持了该领域的技术领先地位。
率先实现批量应用
在满足装备建设及国民经济急需中发挥积极作用
碳化硅器件是新型国防装备、新能源汽车、高速列车、能源互联网等急需的关键器件。为了实现器件尽快量产,2018年国基南方在国内率先建立6英寸碳化硅器件工艺平台,同时发挥牵引作用,带动了国内碳化硅行业上下游产业链的进步。
基于自主可控的工艺平台,近年来,国基南方陆续发布650V-1700V SiC SBD产品,在国内首次实现工程化应用,在充电桩、服务器电源等领域获得大批量使用。2020年国内率先实现6英寸650V-1700V SiC MOSFET量产,同年国内首次实现国产1200V SiC MOSFET批量上车应用,6.5kV-20kV高压SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平国际先进。2022年650V-1200V SiC MOSFET量产,新产品优异的性能得到了用户的肯定,满足60万辆车载应用需求。碳化硅系列产品在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域实现规模应用,已发展成为国基南方新的业务增长极。
在服务国民经济的同时,国基南方始终牢记强军兴军责任,聚焦雷达电源、船舶动力、机载电源、特种车辆控制器、辐射探测等领域,与重点军工单位深化合作,SiC MOSFET和SBD完成验证,有力保障重点装备配套需求。
率先建成一流创新平台
集聚创新资源发挥牵引作用
为了更好集聚创新资源,作为依托单位,2015年宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室获批成立,这是国内该领域唯一的国家级重点实验室。作为建设主体,2021年国家第三代半导体技术创新中心(南京)挂牌成立,为该领域更好推动该领域技术发展提供了有力支撑。
国家第三代半导体技术创新中心(南京)正加快建设。目前,厂房改造、工艺设备等各项工作均按期推进,将进一步提升创新中心的核心竞争力,目标建成一流的研发中试平台和科技服务共享平台,实现综合性创新产业技术输出。
率先打造一流人才团队
建成国内行业人才中心
科技竞争的本质是人才竞争。国基南方碳化硅技术产品快速发展过程中,打造了一支由中国电科首席专家挂帅,高学历、年轻化,能打敢拼、富有创新精神的人才团队。团队骨干获得江苏省“333”高层次人才计划、集团公司杰出青年等荣誉。
近年来,随着低碳经济、高效能源发展,国家出台新基建、双碳等宏观战略,积极推进绿色经济发展,新能源发电、电动汽车,轨道交通,智能电网等新兴市场蓬勃发展,碳化硅器件有很大的市场前景。国基南方将把握市场机遇,坚持创新驱动、规模发展、产融结合的道路,进一步提升碳化硅器件核心制造能力,构建碳化硅领域自主可控产业生态。
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